�内气体外泄。

  外延烟囱状部位内有引导籽晶的吊绳，以及惰性气体氩气的进气口。最上方使用上升旋转机构封口。

  最后，配上集合控制各个部位操作的控制系统，这样立式悬浮区熔法的图纸就算是绘制完毕了。

  “教授，这就是大致的垂直区熔法设备的图纸了，值得注意的是，区熔法和直拉法的加热方式是有很大区别的，直拉法采用的是电阻加热直接将固体多晶硅加热成熔融状态从而进行生长。

  而区熔法是利用电子轰击、高频感应或者是光学聚焦法将一段多晶硅区域融化，使液体靠表面张力支持而不坠落，然后靠移动多晶硅或者加热器使熔区移动。

  这种方法不使用石英坩埚，能避免坩埚污染，由于杂质分凝和蒸效应，可以生长出高电阻率硅单晶！”

  贪多嚼不烂，至于更加先进的分室区熔技术，还是等下一阶段的试验成果出来再说吧，姚飞心里如是想到，如果要是此刻布雷迪知道姚飞心里的想法，估计得破口大骂，你丫的脑子里到底有多少新技术，难道就不能一口气说完，害他到现在一直像个吝啬的管家一样，满脑子里想着的都是怎么将每一种技术的潜力挖到极致……