��不要小看这o.42%的纯度差距，利用这两种纯度生产出来的产品绝对是一个天上一个地上。

  要是继续依靠传统的老办法进行不断的改进，姚飞估计得需要相当一段长时间了，哪怕是有他的不断参与，估计也得话费一两年的时间，而这时间，姚飞完全耗不起。

  “教授，你们已经非常成功了，接下来如果我们想要在短时间内制造出符合标准的硅晶棒，恐怕得开始尝试使用磁控直拉技术，对于这项技术，我个人建议可以先从横向磁场开始实验……”

  短短的时间之内布雷迪就将实验室重新建立起来，并顺利开炉纯度还有所提高，虽然这是实验室环境下，但不可否认这都是其能力的体现。

  “没问题，马上对生长炉进行改装，制造磁场……”

  由于此前对于磁场对熔体施加的力值姚飞已经说明，所以磁体的大小也是事先已经准备完毕，只要测量好位置，然后安装就行。

  当然，这也只能说理论上是正确安装了，但是要想达到理想效果还是要根据后续在生长中熔体受力状况不断的进行微调整。

  磁体的安装度很快，也就是在炉室壁外侧两面加装两块电磁体就可以了，这样通电的时候可以控制电流的强弱制造不同强度的磁场。

  生长炉经过一段时间的彻底冷却下来，取出已经使用过的报废石英坩埚，再换上新的坩埚，封闭炉门。

  经过抽真空、捡漏以及炉压控制步骤之后，新一轮的填料便能得以继续进行了。

  磁控直拉生长技术和直拉生长技术的操作步骤是相同的，之前看到了他们对于生长炉的操控，姚飞没什么不放心的。

  “教授，关于磁场对于熔体运动影响的问题我想你们可以在以后的单晶硅实际生长中将各种数据慢慢比对，然后选用最佳位置制造最佳磁场。

  现在我认为我们可以加快进程了，为了能早日制备出用于集成电路制造的标准级别的硅单晶，我认为我们应该将其他不同的技术结合起来一起使用……”

  事情确实需要一步一步的来，但是有了姚飞这个bug，再应用另一种新技术，完全没什么大不了的。

  “姚先生，你的意思是，使用区熔法技术？可是现在我们连技术图纸都没有，更别说进行改造了……”

  区熔法，这种技术他已经听姚飞说过很多次了，原本以为还需要过一段时间等他们制造出99.9%的硅晶棒才可以用到，但是他完全没想到姚飞使用的这么急切！

  他们完全可以通过一次次开炉收集数据，然后进行对比分析，虽然会多花费一些时间、一些投入资金，但是这样一来完全可以减少许多技术浪费，而在布雷迪这样的专家眼里，每一种技术都非常珍贵，容不得丝毫浪费。

  “图纸，这个很简单，一会我就可以画给你，至于怎么改装，这个还是得靠教授你来想办法了，我会详细的向你解释区熔法的原理，以及它每一个部件的详细功能，一些不同的操作步骤也会向你仔细说明……”

  对于布雷迪的说法姚飞不置可否，径直走到办公桌边，拿起纸笔、尺子，姚飞便开始了区熔法生长炉图纸的绘制工作。

  先是起稳定作用的底座，底座内装有坩埚上升旋转机构，接着是主熔室，上下炉壁内使用真空泵抽真空。

  外壁层向里，之后分别是绝缘层、加热组件、石墨坩埚，在炉室的另一侧配置直径控制传感器，颈口部位使用隔离阀确保单晶硅生长时�