��抓住了历史的机遇。

  1975-1985年的第一次dram世界大战-美日半导体战争中，米国人在dram的竞争中开始全面被日本人赶超，dram的全球市场份额从峰值的90%左右，大幅度下滑到20%。

  这使得米国半导体在全球半导体产业中的占比从峰值的90%滑落到40%左右。

  米国人在dram的失败，最主要在于16k、64k、256k dram的研制上，全面落后于日本人。以16k dram为例，日本人通过二层多晶硅技术使得dram芯片的集成度达到37000，这比起当时莫斯泰克、英特尔主流产品的集成度11000整整提升了236%。

  而日本人通过循环位线、折叠数据线等新技术的应用，率先推出64k dram，集成度再次提升到155000，这比起16k的11000集成度，又提高13倍，这时候米国人已经基本没有能力追赶了。

  这一时期米国人在科技红利投入上，特别是有效研发投入上是低于日本人的，双方之间的dram军备竞争已经不在一个层面上进行的。

  日本人通过64k dram，宣告全球半导体工业进入了新的时期-大规模集成电路时代。

  科技思想上的落后使得米国人几乎错失了一个时代，米国50家半导体公司联合起来，秘密结为同盟，希望能够在256k dram反超日本人。

  但是，日本人凭借“官产学”三位一体的国家力量，领先于米国人早早就实现了256k dram的规模量产。

  日本人的256k dram，采用三层多晶硅和冗余技术等新技术，将集成度再次推高到555000，这在当时是无法想象的。

  米国人在整个美日半导体战争的失败，可以说，全球半导体工业从mos晶体管、集成电路时代向超大规模集成电路(vlsi)时代转变过程中的失败。

  关键原因在于科技红利投入，特别是有效研发投入上的落后。

  而这一时期是第一次全球半导体硅含量提升周期，因为大型机、小型机的渗透率快速提升。

  全球半导体硅含量从5%快速提升到20%，全球半导体工业产值从5亿美金，首次突破1000亿美金。

  从1986-2016年，米国人开始捡起了央格鲁-撒克逊人的传统政策-均衡政策，通过1986、1991年两次签署的《美日半导体协议》对日本人进行限制。

  日本人强大，就扶持韩国人抗衡；韩国人强大，就借助台湾人进行制约，保持着在全球半导体产业竞争中的均衡优势。